엔비디아 최신 AI 가속기와 HBM3E 함께 전시
차세대 HBM4E·HBF 공개하며 기술 경쟁력 부각
관람객들이 대만 컴퓨텍스 2026 내 SK하이닉스 전시 부스를 둘러보고 있다. /SK하이닉스 제공
SK하이닉스가 대만에서 열린 아시아 최대 정보통신기술(ICT) 전시회 ‘컴퓨텍스 2026’에서 엔비디아와의 협력 성과와 차세대 AI 메모리 기술을 대거 공개하며 AI 메모리 시장 리더십을 강조했다.
SK하이닉스는 2일부터 5일(현지시간)까지 대만 타이베이 난강 전시센터에서 열린 컴퓨텍스 2026에 참가해 ‘At the core of the AI wave – Memory!’를 주제로 전시를 진행했다고 밝혔다. 회사는 AI 산업 성장의 중심에 메모리가 있다는 메시지를 전면에 내세우고 HBM을 비롯한 AI 메모리 제품과 차세대 솔루션을 선보였다.
전시장 입구의 ‘AI 팩토리 존’에서는 엔비디아와의 협력 관계를 집중 조명했다. 엔비디아의 최신 슈퍼컴퓨터 ‘DGX 스파크’와 여기에 탑재된 LPDDR5X를 함께 전시했으며, ‘BlueField-4 DPU’와 eSSD ‘PEB210 E1.S’도 소개했다.
특히 엔비디아의 최신 AI 가속기 ‘GB300’과 함께 HBM3E를 전시하고, 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 서명이 담긴 파트너 사인을 배치해 양사 협력 관계를 부각했다. 또한 차세대 AI 플랫폼인 ‘베라 루빈 200(Vera Rubin 200)’ 모형과 함께 SOCAMM2, HBM4를 공개하며 차세대 AI 인프라 시장 공략 의지를 드러냈다.
전시 공간에는 SK하이닉스의 HBM 개발 역사를 소개하는 ‘Chronicle of SK hynix’s HBM’ 전시물과 HBM4E 구조 모형도 마련돼 HBM 기술 진화를 한눈에 볼 수 있도록 구성됐다.
엔비디아와의 협력을 주제로 구성된 ‘AI 팩토리 존’ 전경. /SK하이닉스 제공
부스 중앙의 제품 포트폴리오 존에서는 현재 주력 제품과 미래 기술을 아우르는 다양한 메모리 솔루션이 공개됐다.
‘AI Frontier & Industry Standards’ 구역에서는 HBM3E 36GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM4E 48GB 12단을 비롯해 256GB 용량의 3DS RDIMM, 1c 공정 기반 64GB RDIMM, 128GB DDR5 MRDIMM 등 서버용 D램 제품군을 전시했다. eSSD 제품으로는 액체냉각을 지원하는 PEB210 E1.S와 PS1110 E3.S, PS1101 E3.S 등이 소개됐다.
‘Infrastructure & Next-Gen’ 구역에서는 차세대 메모리 기술인 HBF가 주목을 받았다. HBF는 TSV 기술을 활용해 낸드플래시를 적층한 신개념 메모리로 AI 인프라 확장에 대응할 차세대 기술로 소개됐다.
이와 함께 랜덤 읽기 성능을 강화한 ZUFS 4.1, 저전력·고효율 메모리 모듈 LPCAMM2, 소비자용 SSD인 PQC21·PVF01·PCB01, CXL 2.0+ 기반 CMM-DDR5 등도 공개됐다.
관람객들이 ‘타로 이벤트 존’을 체험하고 있다. /SK하이닉스 제공
전시장에서는 관람객이 촬영한 사진에 한국 전통 복식과 디자인 요소를 AI로 합성해 타로카드 형태로 제공하는 체험형 이벤트도 진행됐다. 해당 프로그램은 한류에 관심이 높은 아시아권 관람객들의 관심을 끌었다.
아울러 전시장 내 라운지와 VIP 회의실에서는 글로벌 고객사와 파트너를 대상으로 비즈니스 미팅이 이어지며 AI 시장 전망과 협력 방안을 논의하는 자리도 마련됐다.
SK하이닉스는 “컴퓨텍스 2026을 통해 주요 파트너들과 함께 AI 기술의 미래를 만들어가는 기술 리더십을 선보이고 AI 메모리 제품과 차세대 기술 비전을 알리는 데 집중했다”며 “앞으로도 변화하는 AI 트렌드에 발맞춰 글로벌 메모리 시장을 선도해 나가겠다”고 밝혔다.
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