22일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 12나노미터(nm) DDR5 D램을 개발하고 AMD와 호환성 검증을 마쳤다.

12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정이다. 삼성전자는 2023년 양산에돌입할 것으로 전망된다.

12나노급 D랩은 이전 세대 제품과 비교해 생산성이 20% 개선됐고 소비전력은 23% 줄었다.

이 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 12나노급 D램 라인업을 확대하고 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 여러 응용처에 공급한다는 계획을 세웠다.

2023년부터 12나노급 D램을 양산하고 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인하겠다는 방침도 정했다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다.

조 매크리 AMD 최고기술책임자는 "기술의 한계를 뛰어 넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.

삼성전자는 지난해 10월 업계 최초로 14nm DDR5 D램을 개발하기도 했다.

삼성전자는 1992년 D램 시장 점유율 1위에 오른 뒤 30년 동안 업계 정상을 지키고 있다.